Soy un estudiante que está haciendo mi maestría con experiencia en ingeniería eléctrica. He estudiado en mis propios índices de molineros, planos cristalográficos y direcciones para poder entender el proceso de grabado con silicio, que se requiere en mis estudios. El problema es que no puedo entender el siguiente texto que está escrito en mi libro de texto (lo cito):
"Cuando el silicio está grabado anisotrópicamente, es decir, dependiendo de la dirección del cristal, y se usa una dirección de superficie {1 0 0}, se producirán cavidades que tienen la misma orientación {1 0 0} en la parte inferior y se determinan lateralmente por { Superficies 1 1 1}. La razón es que las superficies {1 1 1} se graban con una velocidad de grabado mínima y de esta manera se convierten en las más resistentes "
¿Podría alguien ayudarme, por favor, a entender este concepto?