¿Son los SSD verdaderos dispositivos de acceso aleatorio?

De Memoria de acceso aleatorio (Wikipedia) :

  

Un dispositivo de memoria de acceso aleatorio permite que los elementos de datos se lean o escriban en casi la misma cantidad de tiempo, independientemente de la ubicación física de los datos dentro de la memoria. En contraste, con otros medios de almacenamiento de datos de acceso directo, como discos duros, CD-RW, DVD-RW y las cintas magnéticas y la memoria de batería más antiguas, el tiempo requerido para leer y escribir elementos de datos varía significativamente dependiendo de sus ubicaciones físicas en el medio de grabación, debido a limitaciones mecánicas como la velocidad de rotación de los medios y el movimiento del brazo.

Según esta definición, diría que SÍ, los SSD son "verdaderos" dispositivos de acceso aleatorio. La velocidad de acceso no varía en absoluto según el lugar donde se almacena un bit de información en particular en los medios. La razón por la que los SSD son más rápidos en el acceso secuencial que el acceso aleatorio no tiene nada que ver con la NAND subyacente, sino que se debe a que el controlador siempre puede acceder a todas las matrices NAND en paralelo, mientras que para una carga de trabajo aleatoria es estadísticamente improbable. Además, un controlador inteligente puede detectar que está realizando una carga de trabajo secuencial y comenzar a leer datos antes de lo que solicitó todavía. Sin embargo, esto solo se aplica al acceso de bloque grande, por lo que si accede a un byte específico a la vez, no podrá aprovechar este paralelismo de todos modos. En el nivel NAND, las lecturas secuenciales toman tanto tiempo como las aleatorias, es solo que puedes comenzar la siguiente antes de que termine la primera.

Inmediatamente después de publicar esta pregunta, leí un texto de William Stallings ( Organización y Arquitectura de Computadoras ) aclarando mi duda. Como mi duda podría ser la de alguien más, cito el texto de Stallings a continuación. En pocas palabras, esta es la respuesta: las memorias basadas en flash NAND no pueden ser consideradas como acceso aleatorio porque no están dotadas de un bus de direcciones externo de acceso aleatorio (a diferencia de lo que pensé). Por otro lado, los dispositivos NOR "proporcionan acceso aleatorio de alta velocidad. Puede leer y escribir datos en ubicaciones específicas, y puede hacer referencia y recuperar un solo byte"; por lo tanto, a diferencia de los dispositivos NOR, son random_access.

El texto de Stallings sigue a continuación:

  

Hay dos tipos distintos de memoria flash, designados como NOR y   NAND En memoria flash NOR, la unidad básica de acceso es un poco, y el   La organización lógica se asemeja a un dispositivo lógico NOR. Para flash NAND   memoria, la unidad básica es de 16 o 32 bits, y la organización lógica   se parece a los dispositivos NAND.

     

La memoria flash NOR proporciona acceso aleatorio de alta velocidad. Se puede leer y   escriba datos en ubicaciones específicas, y puede hacer referencia y recuperar una   byte único . La memoria flash NOR se utiliza para almacenar el funcionamiento del teléfono celular   código del sistema y en computadoras con Windows para el programa BIOS que se ejecuta en   puesta en marcha. NAND lee y escribe en bloques pequeños . Se usa en USB   unidades flash, tarjetas de memoria (en cámaras digitales, reproductores de MP3, etc.),   y en los SSDs. NAND proporciona mayor densidad de bits que NOR y mayor   velocidad de escritura. NAND flash no proporciona un acceso externo aleatorio   direccionamiento del bus , por lo que los datos deben leerse en forma de bloques (también conocido   como acceso a la página), donde cada bloque contiene cientos a miles de bits.