Esta es una imagen de un sesgo del divisor de voltaje del emisor común y se ha modelado utilizando un CCCS y una resistencia de diodo utilizando el modelo r_e. Ahora mi duda es que tengo problemas para encontrar la impedancia de entrada / corriente y la impedancia de salida / corriente para el modelo anterior. ¿Cómo debo abordar y cómo debo pensar y aplicar qué técnicas? ¿Qué debo hacer para no tener que memorizar y modelar el transistor para diferentes configuraciones?
Tienes un amplificador CE descargado.
DC Biasing le ofrece \ $ I_E \ $ , que le permite determinar \ $ r_e \ $ .
Probablemente le darán una Tabla para la impedancia de entrada \ $ Z_i \ $ , impedancia de salida \ $ Z_o \ $ , ganancia de voltaje
En el modelo CE \ $ r_e \ $ , no hay conexión entre entrada y salida. Entonces la impedancia de entrada es: $$ Z_i = R_B \ parallel \ beta r_e $$
La impedancia de salida mira hacia atrás en el circuito con entrada 0.
$$ Z_o = r_o \ parallel R_C $$
Si \ $ r_o \ $ > > \ $ R_C \ $ (por un factor de 10+) luego la impedancia de salida se puede simplificar para:
$$ Z_o \ approx R_C $$
Esta simplificación se puede hacer porque el Q-Point variará con \ $ \ beta \ $ , temperatura, tolerancias.
Ganancia de voltaje (de una hoja de fórmula).
$$ A_v = - \ frac {r_o \ parallel R_C} {r_e} $$ $$ A_v \ approx - \ frac {R_C} {r_e}, \ if \ r_o > > R_C $$
Puede usar \ $ Z_i \ $ , \ $ Z_o \ $ , y \ $ A_V \ $ para formar el Modelo Generalizado para simplificar la resolución de corrientes (pero esa no es su pregunta).
Use la división actual con el modelo \ $ r_e \ $ para resolver corrientes.
$$ I_b = I_i \ \ frac {R_B} {R_B + \ beta r_e} $$
Eso te da \ $ \ beta I_b \ $ .
\ $ I_o \ approx \ beta I_b \ $ o:
$$ I_o = \ beta I_b \ \ frac {r_o} {R_C + r_o} $$
@ John Cena
La derivada de deltaV_diode / deltaI_diode (la resistencia de CA, la 're', lo que llamo 'reaccionar' y 1 / tranconductancia) es:
26 ohmios si la corriente de diodo de CC es de 1 miliamperio
260 ohmios si la corriente de diodo de CC es de 0.1 miliamperios
2,600 ohmios si 0.01mA (10uA)
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