Tengo una batería Lipo 1S y me gustaría conducir un micro motor sin escobillas a más de 6 amperios. Estoy tratando de diseñar los puentes en H utilizando 2 mosfets de canal N cada uno, pero me encontré con el problema de encontrar un controlador de lado alto / lado bajo que impulsará mosfets a bajos voltajes. ¿Acaso me estoy perdiendo el punto aquí o existe tal producto?
Un diagrama y / o explicación de las señales de control propuestas o disponibles y la frecuencia de operación deseada ayudará.
Un puente H completo requiere 2 FET por tramo o 4 por puente.
Cada "tramo" va desde V + a tierra con el motor conectado al medio.
Cada pata se conecta para conectar el cable del motor a alto o bajo.
Cambiar el led del motor alto y bajo simultáneamente es casi siempre una idea muy simple :-).
Una celda LiPo 1S produce un rendimiento máximo de 4.2V.
La baja tensión del variador lateral para esto se proporciona tan fácilmente para los FETS de canal N que sería posible una amplia gama de controladores.
Si se usa un FET de canal N para el lado alto, se necesita Vbattery + Vgate para la unidad de puerta. Por lo general, 10 V de unidad serían aceptables y tan solo unos 6,5 V funcionarían con FET con voltajes de unidad de compuerta apropiadamente bajos.
Siempre que se pueda proporcionar una fuente de 10V, por ejemplo, a niveles de potencia modestos para el accionamiento de la puerta, el control del lado alto es una operación relativamente trivial.
Hay disponibles controladores de puente que proporcionan altos voltajes de compuerta lateral para los FET de canal N de lado alto. Incluso muchos que normalmente se usarían a voltajes mucho más altos están bien con un suministro de 4.2V.
Una celda LiPo puede funcionar hasta aproximadamente 3V. Siempre que el controlador IC funcionara bien en 3V, podría usarse directamente.
Un diseño discreto simple es posible. Los controladores de puerta lateral alta pueden ser tan simples como 2 o 3 pequeños transistores bipolares baratos por puerta lateral alta.
La unidad de canal N de lado alto no es demasiado difícil, pero el uso de los FET de lado alto de canal P significa que no se requiere un suministro de controlador de lado alto por encima de Vbattery y la unidad de lado alto se vuelve muy, muy fácil. Si estuviera haciendo esto a 6A y 4V, vería si hubiera FET de canal P adecuados (costo, especificaciones, ...) ya que, en general, el circuito se vuelve muy simple.
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