¿Mosfets con condensador en el drenaje?

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Estoy tratando de entender nmos mosfets. Mi libro de texto tiene muchos ejemplos que tratan sobre el nmos con resistencias. Pero actualmente estoy lidiando con un problema con un condensador en el drenaje. Simplemente no he visto este tipo de problema antes y me gustaría recibir orientación, o mejor aún, ejemplos.

¿Cómo sabes cuándo el nmos será saturado u óhmico?

Quiero resolver el voltaje a través del drenaje y la fuente.

EDITAR: Aquí está mi problema:

supuestos: antes de t = 0, no hay voltaje en la tapa y Vg se activa en t = 0

    
pregunta mugetsu

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Este es un problema un tanto artificial, porque no ha mostrado ningún mecanismo por el cual el condensador se descarga inicialmente para no tener voltaje a través de él, lo que dificulta la comprensión intuitiva del problema. Pero me imagino que también hay un interruptor ideal en el condensador que está cerrado para t < 0 y se abre en t = 0.

Después de t = 0, el suministro V S no desempeña ningún papel adicional en el comportamiento del circuito en el otro lado del condensador, y podemos ignorarlo.

Cuando el FET se activa (supongo que quiere decir que V G es lo suficientemente alto como para poner el MOSFET en saturación), puede tratar su canal como una resistencia de valor muy bajo.

Eso significa que tendrá un voltaje muy bajo en el drenaje, dado por la ecuación del divisor de resistencia:

\ $ V_D = V_1 \ frac {R_ {FET}} {R + R_ {FET}} \ $

Donde he nombrado arbitrariamente el nodo en el drenaje del FET como "D" y el nodo entre el condensador y el receptor como "1".

V 1 decaerá exponencialmente hacia el suelo como es habitual en un circuito RC, y V D decaerá proporcionalmente.

    
respondido por el The Photon

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