¿Qué tan importantes son las curvas características de BJT al diseñar amplificadores?

Esa es la realidad de la fabricación de semiconductores. Algunos parámetros son realmente difíciles de controlar estrechamente. Por lo tanto, diseña sus circuitos de modo que las características generales del circuito no dependan en gran medida de las características reales de ningún dispositivo en particular. Luego, cuando haya terminado, regrese y verifique que el funcionamiento del circuito sea aceptable en todo el rango de posibles características para cada dispositivo.

Parece complicado, pero pronto aprenderá a subdividir el problema para mantener las cosas bajo control. Aplicas el mismo concepto a los circuitos de varias etapas: diseñas cada etapa para que su rendimiento no dependa en gran medida de lo que esté conectado a sus entradas y salidas.

Por ejemplo, en un amplificador, usa retroalimentación negativa para establecer la ganancia del circuito de modo que no sea una función importante de la relación de transferencia de corriente real del transistor. Esto podría ser tan simple como poner una resistencia en serie con el emisor.

Estos transistores están 'agrupados', de modo que usted conoce el hFE en un rango bastante estrecho. Las partes 'R' tienen un hFE entre 180 y 390 a 10 mA Vce y 6V Vce, por ejemplo. Por lo tanto, un buen punto de partida sería 10mA Ic y diseñar un arreglo de polarización para mantener el Vce deseado.

No tengo idea de quién es "New Jersey Semiconductor", pero esas partes fueron creadas originalmente por Rohm de Japón (ahora descontinuado). Todavía tengo un pequeño caché de ellos. Tal vez se especialicen en partes que ya no están disponibles y la gente pagará mucho dinero por ellas.

Normalmente, usaría retroalimentación negativa (para polarización y para CA) y / o ubicaría los transistores en el bucle de retroalimentación negativa de un buen amplificador operacional de bajo ruido como el '5532, que elimina la mayor parte del efecto de las variaciones de hFE . Consideraciones similares entran en juego con los Idss de JFET utilizados en aplicaciones de muy bajo ruido.