¿Cómo se implementa una pinza de salida activa en un interruptor MOSFET de lado alto?

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¿Cómo se implementa una pinza de salida activa en un conmutador MOSFET de lado alto?

Si hay varias posibilidades, entonces estoy enfocado en cómo se implementa en MC15XS3400 .

Puedo envolver mi cabeza en torno a cómo se hace con un interruptor low-side , pero el lado alto me ha dejado perplejo. Con referencia al siguiente esquema (de un interruptor del lado bajo), cuando se apaga el MOSFET, el voltaje de la fuente supera el TVS y las unidades actuales a través de \ $ R_1 \ $ conducen a \ $ V_g > 0 \ $ y abrir un poco el canal del MOSFET para permitir que el inductor se desmagnetice (o, al menos, así es como lo entiendo).

La razón por la que incluí esta explicación / esquema es para resaltar mi expectativa de que haya algún tipo de resistencia cerca de la compuerta que quizás aumente la tensión cuando la corriente fluya a través del TVS, donde sea que se encuentre en el nivel más alto. Versión lateral.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

    
pregunta Gerhard

2 respuestas

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La forma más simple es colocar algo como una estructura de diodo Zener desde el drenaje hasta la puerta. De esa manera, cuando la tensión del diodo Zener se excede un poco, el MOSFET se enciende y sujeta la tensión. Algo como esto:

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Si leo la hoja de datos correctamente, la parte que mencionas pinza a aproximadamente -22 a -16 V con una tensión de alimentación de 6 ~ 20 V, por lo que probablemente haya algo diferente, el zener está cambiando un nivel lógico en relación con el suelo (antes de un cambio de nivel).

    
respondido por el Spehro Pefhany
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Mi confusión se debe a que no aprecio que el voltaje de la compuerta MOSFET sea relativo a la fuente.

Por lo tanto, creo que la forma correcta de sujetar una carga inductiva en un interruptor de lado alto es poner un Zener de la puerta a tierra, de modo que la salida del controlador de la puerta no pueda arrastrar su voltaje hacia abajo con la fuente en para mantener \ $ V_ {GS} \ leqslant V_ {GS (TH)} \ $ y el canal cerrado.

En el esquema de @ Sphero, primero cambiaría el MOSFET a un tipo de canal n, luego desconectaría el TVS de la carga y lo pondría a tierra.

    
respondido por el Gerhard

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