He estado (re) aprendiendo programación de microcontroladores utilizando AVR ATinys (13/45/85). Una referencia en las salidas digitales dijo que debería reducir las salidas, pero casi todos los ejemplos de circuitos que he visto en línea son fuente.
¿Cuál es el correcto / generalmente mejor? Si la respuesta es "depende", ¿le importaría proporcionar pautas para cuándo cada una es mejor (en el caso de las salidas digitales ATiny)?
Los controladores de salida AVR de Atmel tienen capacidades de corriente razonablemente simétricas. Algunas MCU no lo hacen.
Un MOSFET de canal N (N-MOSFET) tiene una resistencia menor (y por lo tanto una capacidad de corriente más alta) que un MOSFET de canal P (P-MOSFET) del mismo tamaño.
Los N-MOSFET conectan un pin de salida a tierra y, por lo tanto, reducen la corriente.
Los P-MOSFET conectan un pin de salida a Vcc y, por lo tanto, a la fuente de corriente.
Creo que esto puede ser la causa de que se den algunos consejos de "mejor hundirse".
Al P-MOSFET le cuesta más al área de silicio hacer que el manejo actual sea comparable a un N-MOSFET. Algunos fabricantes no parecen hacer eso. En su lugar, especifican la capacidad de la unidad en la hoja de datos, y es asimétrica. Esto parece ser un problema menor con los dispositivos más modernos, donde la capacidad de unidad simétrica parece ser un punto importante en la lista de funciones de marketing del dispositivo.
Otra característica de los controladores de salida es el drenaje abierto / colector abierto. El P-MOSFET del lado alto está deshabilitado, y solo la parte N-MOSFET del lado bajo del controlador de salida está activa. Esto significa que la salida solo puede ser 'BAJA' (conducción) cuando el N-MOSFET está activado. La salida es de alta impedancia cuando el N-MOSFET está apagado; no es activamente tirar el pin a Vcc.
Un uso de drenaje abierto es permitir que un pin de salida cambie algo que está conectado a un voltaje más alto que el Vcc de la MCU. Esto es útil. Por ejemplo, 3 o 4 LED en serie podrían ser impulsados directamente desde 9V por una MCU de 5V. Además, la corriente no tiene que venir a través del regulador de voltaje Vcc, por lo que podría ser posible usar una parte de regulador de menor valor. (Open-drain / open-collector tiene otros usos, por ejemplo, usar un cable compartido para la señalización de datos entre más de dos dispositivos).
Los controladores de drenaje abierto solo se aplican al N-MOSFET de lado bajo. IIRC algunos PIC hacen esto, quizás muy por encima de 9V. Así que creo que esto también puede ser la causa de algunos consejos "mejores para hundirse".
Resumen: para los AVR no importa (es decir, no recuerdo haber visto uno que no fuera simétrico). Sin embargo, sería mejor hundir la corriente que la fuente con otros dispositivos de otros fabricantes cuando tengan controladores de pines asimétricos o controladores con capacidad de drenaje abierto.
Vale la pena señalar que los MOSFET de mayor potencia aún pueden mostrar la asimetría, por ejemplo, un paquete que contiene un N-MOSFET y un P-MOSFET puede tener una potencia significativamente menor para el P-MOSFET. Algunos controladores H-Bridge también funcionan de esa manera.
No hace ninguna diferencia real.
Los chips ATTiny pueden hundirse y generar la misma cantidad de corriente. Así que realmente depende de tu aplicación.
Algunos chips pueden hundir más de lo que pueden obtener, y algunos pueden obtener más de lo que pueden hundir. Algunos tienen límites de fuente total más altos que los límites de sumidero totales, y algunos tienen sumideros más altos que los límites de fuente. Pero no los chips ATTiny.
Todo está listado en la hoja de datos bajo Características Eléctricas.
La corriente CC máxima por pin (en cualquier dirección) es de 40 mA, pero no garantizan más de 20 mA. La corriente máxima en cualquier pin Vcc o GND es de 200 mA.
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