Base de transistor de activación de corriente ininterrumpida

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Todavía soy prácticamente un principiante en electrónica, actualmente estoy trabajando en la modificación de un teclado USB para usar interruptores en lugar de botones y quiero que los LED acompañen a los interruptores. La solución básica que esperaba usar se parecía a la siguiente:

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Tenga en cuenta que cuando la entrada 5V a GND está cortocircuitada, IC transmite el botón cuando se presiona. La corriente a través del LED es 20mA.

El esquema anterior hace que el LED funcione, pero el controlador ya no lo reconoce como encendido. Entonces, al no poder modificar la corriente que está pasando por el interruptor, intenté agregar un transistor con la resistencia y el LED separados del interruptor, similar a la solución aquí :

simular este circuito

Esto hace que el interruptor vuelva a funcionar, pero el LED no se enciende. Funciona cuando quito la conexión entre el interruptor y la GND, así que asumo que toda la corriente pasa a través de la conexión GND y nada va a la base del transistor. ¿Estoy pensando incorrectamente o cómo debo resolver esto?

    
pregunta SvDvorak

2 respuestas

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Su esquema original es algo confuso, ya que parece que está intentando cortocircuitar el riel de alimentación USB. Lo he redibujado a continuación con un circuito que debería hacer lo que quieras. Utiliza el interruptor para desplegar la puerta de un MOSFET en modo de mejora de canal P.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

El punto principal a tener en cuenta es que la corriente para controlar el LED ya no proviene del interruptor IC, sino directamente del riel de alimentación USB. La entrada del interruptor no está diseñada para proporcionar una potencia significativa, y para obtener el beneficio de amplificación actual del transistor que necesita para obtener su corriente de una fuente de amperaje más alta.

Podría lograr esto utilizando un PNP BJT, pero tendrá un voltaje de saturación fijo a través del colector y el emisor del transistor PNP (alrededor de 0.15 V) que requerirá un recálculo de R1. También requiere una resistencia de base en serie cuyo valor debe calcularse teniendo en cuenta la Hfe del BJT. Tiene la ventaja de no colocar un requisito de voltaje de umbral de puerta bajo en el transistor, y hay BJT PNP más adecuados disponibles en paquetes de orificio pasante que los MOSFET de canal P.

simular este circuito

Este circuito usa el BC557 simplemente porque es la parte complementaria del BC547 que usaste en tu intento original. La Hfe garantizada de las partes de grado más bajo (A) es 110, por lo que para una corriente de colector-emisor de -20mA necesitamos al menos 180uA de la corriente base. Usando una resistencia de base 4k7 tenemos 5-0.7 = 4.3V a través de ella, dando una corriente de base de 4.3 / 4.7k = 915uA. Esto es suficiente para que el BJT penetre en la saturación sin que fluya una corriente de base excesiva. Tenga en cuenta que con la versión MOSFET de este circuito prácticamente no habrá flujo de corriente de compuerta, por lo que ganaría una mayor eficiencia de esa manera. No he cambiado R1 para permitir el voltaje de saturación del emisor del colector: es probable que la reducción requerida sea de alrededor de 10 ohmios, por lo que puede optar por ignorarlo.

    
respondido por el stefandz
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Primero, apague su interruptor en el segundo diagrama cortocircuitará el suministro de 5V cuando lo presione.

En segundo lugar, ponga una resistencia en serie con el interruptor y mueva la conexión inferior del interruptor para conectar entre R2 y la base del transistor.

    
respondido por el Michael Karas

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