He estado tratando de resolver esta pregunta, pero estoy teniendo situaciones complicadas.
Mi intento:
Para el modo de saturación del transistor NMOS, se deben cumplir las siguientes condiciones;
$$ v_ {gs} \ ge v_t $$ $$ v_d \ ge v_g-v_t $$
Donde v_d es el voltaje de drenaje, v_gs es el voltaje de la fuente a la fuente, v_t es el voltaje del sostén y v_g es el potencial de la puerta.
De la primera ecuación,
$$ 5-I_d \ times 1 \ ge v_g-v_t $$ $$ \ implica 5-I_d \ ge 0-v_t $$ $$ \ implica 5-I_d \ ge 0-1 $$ $$ \ implica I_d \ le 6 $$
Ahora traté de expresar I_d como una función de R_s usando las ecuaciones actuales para el drenaje y la corriente de fuente, pero las ecuaciones se volvieron cada vez más desordenadas, finalmente me rendí.
Creo que la pregunta es incorrecta, este transistor siempre permanece en saturación independiente de R_s, o he cometido errores.
La ayuda sería apreciada de cualquier manera.