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Aquí, un IGBT es un NMOS con un BJT > Pero el BJT parece ser un dispositivo pnp. Cuando se enciende el NMOS, Vbe = 0, ¿cómo se conducirá el pnp? Al hacer que la puerta sea negativa, significa que no existe ningún canal en el NMOS, y el NMOS está desactivado. Los 2 extremos podrían estar en cualquier potencial. ¿Cómo funciona realmente este circuito?
Considérelo con una carga.
La corriente de base de Q1 está determinada por la hFE de Q1. \ $ V_ {BE} \ $ es aproximadamente -0.75V, no 0V.
Considere los siguientes dos estados:
Cuando \ $ V_ {GE} \ $ es menor que el voltaje de umbral del MOSFET, \ $ I_B = 0 \ $, y por lo tanto \ $ I_C = 0 \ $. El IGBT es off.
Cuando \ $ V_ {GE} \ $ es mayor que el voltaje de umbral del MOSFET, \ $ I_B \ $ se establece mediante \ $ h_ {FE} \ $ del BJT, y fluye a través del MOSFET. Por lo tanto, \ $ I_C = h_ {FE} I_B \ $; el IGBT es en.
Además, tenga en cuenta que es un circuito equivalente simplificado . Un IGBT real es un dispositivo semiconductor PNPN (cuatro capas). No es solo un BJT y un MOSFET pegados en una caja.