La hoja de datos del chip UC3843 recomienda agregar una resistencia externa de aproximadamente 10-20 ohmios en serie con el MOSFET. ¿Alguien puede explicar cómo calcular la disipación de potencia en la resistencia en serie? Estoy operando el circuito a 200Khz. Otros parámetros son los siguientes:
Simple, la potencia es \ $ P = RI ^ 2 \ $, donde I es la corriente de compuerta del MOS. Pero ¿cuánta corriente entra por la puerta? ;-)
La nota de aplicación dice que R es para amortiguar, ya que tiene un elemento de disipación de las oscilaciones que podría ocurre en el circuito formado por la capacitancia de la compuerta y la incuctancia del cableado. Si su circuito está bien diseñado, podría usar una resistencia de señal muy pequeña (0.25W podría ser suficiente).
Estime la carga total en la puerta necesaria para cambiar el MOSFET usando la condición de operación y la hoja de datos (sea Qg). La energía disipada se puede estimar en (0.5 Qg Vg) por transición. Si desea estimar utilizando la capacitancia de la puerta concentrada equivalente, Qg = Cg Vg, entonces la misma energía puede estimarse como \ $ 0.5 C_g V_g ^ 2 \ $.
La disipación de potencia de la resistencia es energía transiciones por segundo, lo que sería: $$ P = 0.5 Q_g V_g \ times 2 freq = Q_g V_g freq $$
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