Estoy diseñando un circuito que puedo reutilizar otra vez para cambiar cargas de diferentes tipos de aproximadamente 8-30v y de aproximadamente 0.5-15ampa. Como un relé universal de estado sólido, pero quiero mi propio circuito personalizado para poder ponerlo en diferentes PCB.
Planeo interconectar esto con un 3v STM32F GPIO
Aquí está mi circuito:
Aparte del problema de conducción que tiene (necesita un MOSFET de nivel lógico o BJT NPN para Q2, como han señalado otros), su 0-30V no es válido. Tampoco es el 5A.
Deberá tener al menos 4.5 V para que se garantice el Rds (activado). Si es menos de 4.5V, el calentamiento puede ser incluso peor de lo esperado.
Además, incluso a 4,5 V, la disipación de potencia puede ser de alrededor de 5 W con un flujo de corriente de 5 A, lo que probablemente será destructivo. (40-96 ° C / W usando los diseños de PCB dados, lo que significa que la temperatura de la unión podría estar muy por encima del máximo absoluto).
Un mejor MOSFET de canal P ayudaría. También considere medir el riel de alto voltaje e inhibir el variador si el voltaje es demasiado bajo.
MMDT2907A no es un mosfet de canal N como se muestra en el esquema. Es un transistor PNP BJT. Así que no funcionará, el transistor PNP nunca se encenderá. Su base estará en 0 V o en + 3,3 V, y debe ser negativo en relación con el emisor para que se encienda.
Ahora, supongamos que realmente pone un mosfet de canal N como Q2 (acaba de cometer un error en el número de pieza). En este caso, puede funcionar. Cuando el GPIO está a 3.3 V, asumiendo que el umbral de la puerta es lo suficientemente bajo, Q2 se activará, lo que luego lo activará Q1 (la tensión de alimentación en Q1 debe ser lo suficientemente alta). También puede usar un transistor NPN (con una resistencia adicional en la base).
También me di cuenta de que los valores de resistencia son way demasiado bajos. Con un suministro de 30 V, necesita 140 mA a través de Q2 y R1 (14 V entre el suelo y el cátodo Zener, dividido por 100 Ohm). Este es un gran poder desperdiciado. Solo usa unos 470k para R1 y alrededor de 100k para R2. Con esto y un suministro de 8V, obtienes -6.6V en la compuerta Q1, y para un suministro de 30V -16V en la compuerta (por supuesto) y una corriente de 140µA hasta el R2.
Ahora, si necesita seleccionar una parte de mosfet de canal N adecuada para Q2, debe verificar el voltaje de umbral de la compuerta. Debe ser a lo sumo 3V para cambiar la corriente requerida de 140µA. BSS138 lo hará, ahora que ha editado los esquemas.
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