Por lo tanto, estoy alimentando el dispositivo. Es de baja potencia, funcionando a < 10mA. El voltaje mínimo requerido es de 3.5 V, por lo tanto, con las baterías recargables de NiMH necesita 4 en serie.
Mi problema es que se descargan, dejando 3 a ~ 1.1V y la batería final a 0.02V, ish. Esto es malo para la batería, pero no veo ninguna forma de evitarlo. Todas las sugerencias de polaridad inversa que he visto parecen preocuparse por proteger el dispositivo. ¡Quiero cuidar mis baterías!
Ideas?
Esta es la idea básica. Puede que no funcione. Realmente queremos un FET que permanezca en forma confiable hasta 0.9 o 0.8V. No estoy seguro de si hay algo disponible que haga eso. Sospecho que esto funcionará bien la mayor parte del tiempo, pero si crea muchas unidades, o si intenta operar en temperaturas más frías, puede cortarse demasiado pronto, lo que acorta la vida útil de la batería.
Tenga en cuenta que el NMOS FET tiene su fuente conectada al terminal negativo de la batería y su compuerta conectada al terminal positivo. Mientras el voltaje de la batería sea lo suficientemente alto, el FET estará encendido y la corriente fluirá a través de él libremente. En algún momento a medida que la batería se descarga, el FET se apagará y, en ese momento, dejará de descargarse.
Todavía podría cargarlo, ya que la corriente fluirá desde la fuente hasta el drenaje a través del diodo del cuerpo del FET hasta que el voltaje de la celda se recupere lo suficiente como para volver a encender el FET. En teoría.
