La densidad de corriente de difusión debida a la difusión de electrones viene dada por: Jn = (e) (Dn) (dn / dx) La densidad de corriente de difusión debida a la difusión de agujeros viene dada por: Jp = - (e) (Dp) (dp / dx)
Entiendo que para un semiconductor, la densidad de corriente de difusión de electrones y la densidad de corriente de difusión de orificios son opuestas entre sí. Por lo tanto, tendrán el signo opuesto. Pero, ¿por qué la corriente de difusión de electrones es positiva y la corriente de difusión de huecos es negativa? (A pesar de que la carga de electrones es -ve y la carga del orificio es + ve)