Serie conectada MOSFETs efecto en la longitud del canal [cerrado]

Para dos transistores NMOS en serie con las puertas unidas, un transistor está en saturación el otro en la región lineal.

Basándose en el modelo de ley de cuadrado simple, se puede deducir que las dimensiones equivalentes son $$ \ left (\ frac {W} {L} \ right) _ {eq} = \ frac {\ left (\ frac {W} {L} \ right) _ {1} \ left (\ frac {W} {L } \ right) _ {2}} {\ left (\ frac {W} {L} \ right) _ {1} + \ left (\ frac {W} {L} \ right) _ {2}} $$

Aplicando esta ecuación repetidamente puede usarse para más de dos transistores.

Para dos transistores de longitud L, la longitud equivalente resulta ser 2L si las anchuras se mantienen iguales.

No.

Al calcular el efecto combinado de los transistores NMOS en serie, es necesario tener en cuenta sus capacidades de fuente / drenaje.

Por ejemplo, dos NMOS en serie conectados a una carga capacitiva C_load

^{simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab}

en realidad se comportará así cuando se activen las puertas:

^{simular este circuito}

y no como este (un NMOS más largo):

^{simular este circuito}

(En los diagramas, R1 y R2 son las resistencias de canal equivalentes de los dos transistores, CD2 es la capacitancia de drenaje del transistor inferior y CS1 es la capacitancia de la fuente del transistor superior)

La presencia de una capacitancia efectiva de CD2 + CS1 entre los dos canales cambia la forma en que los transistores cargan o descargan la carga, lo que a su vez afecta la sincronización del circuito y el consumo de energía.