pregunta actual de MOSFET [duplicar]

Los MOSFET pueden manejar corrientes, pero siempre hay algo que diseñar a su alrededor. Normalmente, tiene que verificar la disipación de energía en sus condiciones de trabajo (causada por la corriente y el cambio de acuerdo con su sistema) y ver si el MOSFET puede disiparlo solo, o puede requerir un diseño especial o incluso un disipador de calor. Entonces, cuando establecen 195A, pueden significar "con refrigeración por agua conectada". Por supuesto, esto no es lo que escribirán, solo proporcionarán toda la información requerida para que usted pueda verificarlo usted mismo.

Eche un vistazo, este es su hoja de datos del MOSFET . Dicen que Rdson es 1.5mR, por lo que si no cambia la resistencia y la corriente es 100A, la disipación de potencia es P = I ^ 2 * R = 100 * 100 * 0.0015 = 15W. Definitivamente necesitarías un disipador serio para eso. Pero para su 4A, la potencia es de 2.4 mW, por lo que se mantendrá fresco.

Uno piensa que deberías saber que tus motores probablemente no tienen escobillas, lo que significa que no puedes simplemente encenderlos y esperar que giren. Usted necesita un controlador, ya sea comercial o diseñado por usted. Y ya que mover un motor sin escobillas no es algo trivial, vaya primero a los productos listos para usar. No pierdas el tiempo.

Sí, puede pasar la corriente nominal. Para utilizar la corriente nominal total que necesita disipadores de calor, los dispositivos MOSFET tienen una resistencia de activación que define la potencia disipada por el dispositivo en condición de ENCENDIDO a una corriente particular, según lo que necesite. para dimensionar su disipador de calor

del artículo Cálculo de la pérdida de potencia al cambiar los MOSFET

  

Cada MOSFET tiene un elemento resistivo, por lo que disipa la potencia como   La corriente se realiza a través del dispositivo. El parámetro resistivo es   descrito como resistencia on, o RDS (ON). Estas pérdidas de conducción son   inversamente proporcional al tamaño del MOSFET; cuanto mayor sea el   transistor de conmutación, menor es su RDS (ON) y, por lo tanto, su   pérdida de conducción.

     

La otra fuente de pérdida de potencia es a través de pérdidas de conmutación. Como el   MOSFET se enciende y se apaga, su capacidad parásita intrínseca almacena   y luego disipa la energía durante cada transición de conmutación. los   Las pérdidas son proporcionales a la frecuencia de conmutación y los valores de   Las capacitancias parasitarias. Como el tamaño físico del MOSFET.   aumenta, su capacitancia también aumenta; así, aumentando el tamaño del MOSFET   También aumenta la pérdida de conmutación.

Hace mucho tiempo, se convirtió en la convención de que las clasificaciones de corriente de mosfet de energía se darían con la temperatura de la caja a 25ºC. Tal vez alguna vez esto fue razonable. No lo sé.

Pero es prácticamente imposible mantener un mosfet a 25 ° C cuando se está disipando, por ejemplo, 100Watts.

Me he dado cuenta de que algunas hojas de datos ahora enumeran la corriente máxima a una temperatura ambiente de 25 ° C, que es más realista. La conclusión es que debe buscar en la hoja de datos y hacer algunos cálculos para determinar si se necesita un disipador de calor y su tamaño.

En su aplicación, lo más probable es que encuentre un mosfet que pueda pasar 4A sin un disipador de calor. Pero haz los cálculos para confirmar.

El modo de falla probablemente no involucraría mucha fusión. Una vez que el dado se calienta demasiado, ya no será un transistor, y la conducción puede ocurrir por caminos no deseados, y eventualmente habrá humo, y ese es el final de eso.

La lámina de cobre estándar tiene una resistencia térmica de 70 grados centígrados por vatio por cuadrado de lámina.

Permite trabajar con un pedazo de papel de 3 cm por 3 cm de 1 onza por pie cuadrado, y coloque el MOSFET en el centro. 1 cm ^ 2 es casi la huella del tamaño correcto.

¿Cuántos cuadrados de papel de aluminio hay alrededor de ese MOSFET? Ocho, ¿verdad? Por lo tanto, la resistencia térmica total es de 70/8 = 9 grados centígrados por vatio.

Ahora haz crecer la lámina a 5 cm por 5 cm. ¿Cuántos cuadrados rodean al original 9? 5 +4 + 4 +3 = 16. La resistencia térmica es 70/16 = 4.5 grados centígrados por vatio, para ese anillo adicional de lámina.

Nuestro Rth total es 9 + 4.5 = 13.5 grados C por vatio.

En algún momento, el flujo de aire será suficiente.

Tenga cuidado de no entrar el calor del centro del paquete en la lámina circundante. Dibuja algunos cuadrados pequeños debajo de la huella del MOSFET y calcula esas resistencias térmicas también.

Sí, pueden manejar las corrientes sin derretirse. El truco es que tienen una resistencia "on" extremadamente baja, o "RDS (on)", en las fracciones bajas de un Ohm. Entonces, mientras la corriente es alta, el voltaje a través del FET es muy bajo. El calor se debe a la disipación de la potencia y la potencia = corriente x voltaje. La baja tensión hace que tengas poco calor.

Es necesario hacer que estos FET se activen y desactiven muy rápidamente, ya que se calentarán si permanecen en una región intermedia (parcialmente encendida) durante más de un breve momento. Dependiendo de la aplicación, habrá otras complicaciones en el diseño de un circuito confiable.