Sensor oscuro: se necesita una salida de 500 mA

Aquí hay una versión "corregida" de su circuito original, que usa un MOSFET con clasificación de 30A con Vgs (th) = 2.0V y un Rds máximo (encendido) de 31m (ohm) @ 4.5Vgs cuando pasa 18A de corriente (según a las tablas, el promedio de Rds (activado) para ~ 4Vgs debe ser inferior a 30m (ohm) cuando se pasan solo 450mA)

Tenga en cuenta que R4 es un varistor ... obviamente, esto no sería necesario en un diseño terminado, pero al experimentar con controladores LED, me parece mejor usar una resistencia de serie variable hasta que todo funcione correctamente. Entonces, es una cuestión simple medir la resistencia de la configuración de "trabajo" en el varistor & Reemplace con una resistencia fija de valor cercano en "modelos de producción".

^{simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab}

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Aquí hay una idea para un circuito que personalmente usaría preferencialmente al anterior; aunque es una topografía algo diferente de la que estás usando:

^{simular este circuito}

En este circuito, cuando la resistencia de LDR1 cae por debajo de la resistencia de R2 (elija un valor de R2 para cualquier resistencia de "punto de activación" de LDR1 en la que quiera cambiar), la salida del comparador LM393 pasará rápidamente de alta a -bajo; luego, cuando la resistencia de LDR1 aumenta por encima de la de R2, la salida del comparador pasará rápidamente de baja a alta.

Las principales ventajas aquí son:

1. El comparador realiza una transición rápida, eliminando el "área gris" donde los LED se energizarían parcialmente, pero no son efectivos & simplemente desperdiciando energía (además de que el MOSFET se encuentra en una región lineal y se está calentando con la mayor energía disipada)

2. El comparador agrega cierta histéresis al circuito, lo que reduce la transición (área parpadeante o área gris) que a menudo puede ocurrir cuando los niveles de luz están muy cerca del punto de disparo de un circuito similar que no tiene suficiente histéresis .

El BJT que está utilizando actualmente no debe usarse para corrientes superiores a 100 mA.

El MOSFET que usaste tiene un umbral (Vgs-th) de 2 - 4V que garantiza una corriente de drenaje > 250µA. Necesita al menos 4.5V para obtener un Rdson suficientemente bajo - > Suficientemente alta para su aplicación.

Use un MOSFET que tenga un Vgs-th más bajo dadas sus condiciones, luego agregue una resistencia en serie con su tira de LED para alcanzar los 450 mA deseados. No sugiero utilizar el MOSFET en un punto de operación específico sin retroalimentación porque su Rdson cambia mucho con la temperatura y no es lineal. Sin embargo, puede usar una resistencia de detección que pueda usar para controlar la corriente del LED, pero no creo que sea necesario hacer esto más complejo si una resistencia en serie satisface sus necesidades.