Estoy un poco confundido de que estos dos son diferentes.
Estoy un poco confundido de que estos dos son diferentes.
No he escuchado el término 'cutin', o quizás 'cut-in', voltaje antes. Esto se conoce más comúnmente como voltaje de 'umbral'.
Se referirá a la tensión directa que comúnmente se considera necesaria para obtener un diodo polarizado directo para realizar la conducción. Para el silicio, a menudo se da como 0.7v, con shottky y germanio alrededor de 0.3v. Los LED tienen voltajes más altos de 1.6v para el rojo a 3v para el azul.
De hecho, los diodos conducen a todos los potenciales, incluso a la inversa. Es solo que la conducción tiende a ser insignificante en el contexto de los circuitos electrónicos típicos que necesitan (por ejemplo) un rango de \ $ 10 \ mu A \ $ a 10 mA, para el cual el voltaje será cercano al mencionado. tensiones Para la precisión que permite el coeficiente de temperatura, la mayoría de los ingenieros dicen que los diodos conducen a la tensión del umbral, y entienden que se trata de una aproximación cruda.
El voltaje 'incorporado' se refiere a la diferencia de energía de los semiconductores dopados que forman la unión diodo. Consulte la entrada de wikipedia para la unión p-n . Esto es constante, es una función de las densidades de dopaje de los semiconductores, y es del mismo tipo de orden que la tensión del umbral, lo que da lugar a la confusión.
La mayoría de los diodos tienen una ecuación logarítmica que vincula el voltaje del diodo y la corriente del diodo. A menudo se produce una corriente de diodo de 1 mA con un voltaje de diodo cercano de 0,6 voltios. Cada disminución de 0.018 voltios a través del diodo reducirá la corriente en 2: 1. Cada disminución de 0.060 voltios reducirá la corriente en 10: 1. Vamos a poner esto en una tabla.
Vdiode Idiode
0.600 1mA
0.540 0.1mA
0.480 0.01mA
0.420 1microAmp
0.360 100 nanoAmps
0.300 10 nanoAmps
0.240 1 nanoAmps
En corrientes más bajas, este comportamiento de registro se vuelve menos preciso.
De manera similar, dependiendo del tamaño de la unión interna del diodo, el comportamiento logarítmico se vuelve menos preciso en corrientes superiores a 1 mA, porque la resistencia interna del silicio comienza a dominar la curva I_V.
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