¿Cómo puedo reducir la inductancia parásita en el diodo de retorno?

He construido un circuito RL simple con un interruptor MOSFET y un diodo de retorno, como se muestra, que se comporta perfectamente en un modelo Spice, pero que muestra lo que parece ser una inductancia parásita bastante grande en paralelo con el circuito principal (aparentemente en el diodo) que causa grandes oscilaciones de voltaje en el drenaje MOSFET y en la fuente de voltaje (menos que ideal) (la mayoría de las imágenes son para V3 = 1, con una inductancia más cercana a 1.5 m y una resistencia más cercana a .3 en el circuito de prueba).

Lospicosdevoltajeeneldrenajeseparecena this . También he incluido algunas imágenes del circuito físico. En 1V V3, las puntas pueden alcanzar 60 o 70V en el desagüe, y elevan la tensión de la fuente de alimentación hacia arriba y hacia abajo con ellas. Los cables de alimentación del suministro al circuito son bastante grandes, pero, en mi simulación de Spice, no creo que pueda ser responsable del comportamiento observado, que parece estar en el diodo. Si modelo el circuito con un pequeño inductor (20uH) en serie con el diodo, obtengo un comportamiento que parece extremadamente similar (aunque no exacto, pero eso puede depender del valor exacto de la inductancia).

ElMOSFETencuestiónesunIXFB210N30P3yeldiodoesundiodoSchottkySTPS200170TV1.Debidoaquedependodelosvaloresactualesexactos,nopuedopermitirmeagregarunamortiguadorgrandeatravésdelFETquepodría"reducir" algo de la corriente, y cualquier cosa más pequeña parece tener muy poco efecto o disipar demasiada energía. Simplemente no entiendo de dónde viene esta inductancia y cómo puedo abordarla en la práctica.