Mientras derivamos el modelo T equivalente de un MOSFET de su modelo pi híbrido, en el último paso, ¿cómo podemos reemplazar la porción del circuito debajo del nodo X en una resistencia de valor \ $ \ frac {1} {g_m} \ $?
Mientras derivamos el modelo T equivalente de un MOSFET de su modelo pi híbrido, en el último paso, ¿cómo podemos reemplazar la porción del circuito debajo del nodo X en una resistencia de valor \ $ \ frac {1} {g_m} \ $?
La corriente proporcional a una tensión es resistencia: R = V / I = gm * Vgs
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