Encontrar el voltaje de drenaje para un inversor CMOS cargado con resistencia con 0 V en el terminal de entrada

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Introducción: El siguiente ejemplo es del libro de texto Sedra / Smith Microelectronic Circuits. En la solución a este ejemplo se indica que dado que tanto \ $ Q_n \ $ como \ $ Q_p \ $ coinciden y \ $ | V_ {GS} | = 2.5V \ $ entonces \ $ v_o \ $ debe ser 0V, por lo tanto, ambos transistores estarán en la región de saturación. Es esta conclusión la que quería investigar. Mi pregunta general es ¿por qué \ $ v_o \ $ tiene que ser 0V?

Ecuaciones usadas:

Ecuación de corriente de saturación para NMOS:

\ $ i_D = \ frac {1} {2} k_n ^ \ prime (\ frac {W} {L}) (V_ {GS} - V_ {tn}) ^ 2 \ $

Ecuación de corriente de saturación para PMOS:

\ $ i_D = \ frac {1} {2} k_p ^ \ prime (\ frac {W} {L}) (V_ {SG} - V_ {tp}) ^ 2 \ $

Condición para ON:

NMOS- \ $ V_ {GS} \ geq V_ {tn} \ $ PMOS- \ $ V_ {SG} \ geq V_ {tp} \ $

Condición para la saturación:

NMOS- \ $ V_ {DS} \ geq V_ {GS} - V_ {tn} \ $ PMOS- \ $ V_ {SD} \ geq | V_ {SG} - V_ {tp} | \ $

Condición para el triodo:

NMOS- \ $ V_ {DS} < V_ {GS} - V_ {tn} \ $ PMOS- \ $ V_ {SD} < | V_ {SG} - V_ {tp} | \ $

Método de solución:

Como ya sabía la respuesta a este problema, iba a trabajar al revés para demostrar que la única solución posible para este circuito es que \ $ Q_n \ $ y \ $ Q_p \ $ estén en saturación. Mi método es mostrar que ambos transistores no pueden estar en triode \ triode, triode \ saturation, o saturation \ triode.

Solución:

Dado que las ecuaciones de la corriente de saturación para ambos transistores en la saturación son independientes de \ $ V_ {DS} \ $ y se combinan perfectamente, entonces ambos transistores tienen la misma corriente que los atraviesan. Para que esto sea cierto, eso significa que no hay corriente en el resistor, lo que hace que \ $ v_o \ $ esté a 0V. Ahora el problema es abordar otros modos operativos para los transistores.

Para triode \ triode se puede encontrar que para \ $ Q_n \ $ estar en triode \ $ V_D < -1 \ $ y para que \ $ Q_p \ $ esté en triodo \ $ V_D > 1 \ $. Dado que los drenajes de los transistores están conectados, no hay una V_D tal que pueda satisfacer ambas desigualdades al mismo tiempo. Esto significa que triode \ triode no es posible.

Ahora, donde estoy atascado, está demostrando que el triodo \ saturación y la saturación \ triodo tampoco son posibles, pero todavía tengo que encontrar un camino. Esta es la pregunta subyacente a mi método de solución.

¿Existe una solución más sencilla para este problema o hay una manera de mostrar que triode \ saturation and saturation \ triode no es válido?

    
pregunta Connor T Desmond

1 respuesta

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El problema aquí es que la tensión de salida está determinada por la impedancia de salida de ambos transistores. En el modelo más simple, las curvas IV de las mosfets en saturación son completamente planas .

Esta figura ilustra el problema (aunque cambié los voltajes con 2.5V, e ignoré las corrientes ya que solo usé un modelo aleatorio para hacer mi punto):

LaslíneasazulessonlascorrientesdedrenajedelNMOSparavariosvoltajes\$V_{G}\$diferentes.LaslíneasverdesindicanlacorrienteatravésdelPMOSparavariar\$V_{G}\$voltajes-recuerde,\$V_{out}=5V-V_{SDp}\$.

Siunelosvoltajesdelacompuerta,entoncesamedidaqueaumente\$V_{GSn}\$,disminuirá\$V_{GSp}\$.Seleccionaunacurvaazulyunaverdedemaneraapropiadayencuentralainterseccióndelasdoscurvasparaencontrarlacorrientedesalidayelvoltaje.PuedeleerlacorrientedesalidaenelejeYyelcorrespondientevoltajedesalidaenelejeX.

Lasecuacionesmásbásicasasumenquelacorrienteesconstanteensaturación.Estogeneralmentenoesunproblema,exceptoenelcasoúnicodondelaslíneashorizontalescoinciden.Enotraspalabras,lainterseccióndelgráficoazulyverdenoesúnica,peropuedeserunrangocompletodepuntos.Yesexactamenteenestasituaciónqueelejercicioestásesgado.Noencontraráelvoltajedesalidautilizandolasecuacionesdenivelmásbajo"convencionales".

Para resolverlo, deberá tener en cuenta la impedancia de salida en saturación. Esta es la pendiente de la corriente cuando está en saturación, y generalmente se modela con la ecuación

$$ i_ {DS} = \ frac {1} {2} k '\ frac {W} {L} (V_ {GS} - V_ {T}) ^ 2 (1 + \ lambda V_ {DS} ) $$

Esto es solucionable, pero necesitarías más información sobre los mosfets que no se proporcionan.

Mi consejo es que no lo pienses demasiado en esta etapa. Considere al inversor como completamente simétrico (es decir, nmos y pmos están "emparejados"). Si la entrada está en el medio, entonces la salida está en el medio.

    
respondido por el Sven B

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