Un modo de mejora La ecuación de voltaje de corriente de Mosfet en modo de saturación viene dada por: $$ I_D = \ frac {\ mu C_ {ox} L} {2W} (V_ {GS} -V_ {th}) ^ 2 $$
La gráfica:
Mi pregunta : Estudié que las características de transferencia se pueden obtener siempre y cuando \ $ V_D > 0 \ $. Sin embargo, ¿no es incorrecto suponer que el MOSFET está saturado?
La condición necesaria para que un NMOS esté en la región de saturación es: V DS > V GS - V TH o V DS + V TH > V GS
Puedes ver el truco aquí. Si obtienes tu V GS demasiado alto, estarás en la región del triodo.
Recuerdo un problema en "Diseño de circuitos integrados CMOS analógicos" de Behzad Razavi, en el que pregunta cómo cambiarán las características de transferencia si V DS es bajo. Dale una lectura.
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