Como todos los seguidores de emisores (también conocido como Common Collector) en el rango lineal, Ze = Zb / hFE

Dz tiene especificaciones para Zzk en k nee threshold y Zzt en t corriente terminal (max)

Las variables son Uin, hFE Vce (min), Uout, Rv, Vz, Zzt, Zzk y RL.

El parámetro fijo más bajo Zout = Zz / hFE.
El más alto es Zout = Zzt / hFE.
  - donde Iz = min (Uin-Uout) / Rv
  - y / o hFE es muy bajo (por ejemplo, 10) - debido a Vce (sat) @ Si está garantizado en las especificaciones del transistor.

Estas variaciones son la limitación de 3 partes simples.

Pero las especificaciones a menudo se agregan para mejorar la eficiencia o ampliar el rango de operación, disminuir la caída de Vce o disminuir el error de regulación de carga o reducir los costos.

por ejemplo MM3Z13VB Vz = 13V (2%) @ 5mA, Zzk = 160Ω @ Iz = 1mA, Zzt = 28Ω @ Iz = 5mA
por lo tanto, Vce > > Vce (sat) y hFE = 100 min,

  

Zout = varía de 1.6Ω @ Iz = 1mA a 0.28Ω @ Iz = 1mA

Esto puede ser adecuado para una variación de unidad base de 4 mA o una variación de 400 mA en las cargas y comprometer todos sus límites y tolerancias en sus especificaciones de diseño.

Sin embargo, las cargas de pasos reactivos causarán más errores de carga de pasos, ya que este regulador no puede absorber la corriente, solo la fuente. La elección del transistor debe ser capaz de disipar la pérdida de calor en el peor de los casos y tener ESR de base emisora o resistencia a granel < < Zzt.

nota

A {Iz = 5mA * Vz = 13V} = 65mW pero la potencia nominal máxima es de 200mW a 25'C (usando un disipador de calor infinito) y como la resistencia térmica del paquete es de ~ 600'C / W sin disipador de calor, 5mA significa 65mW * 800'C / W = aumento de la unión 52'C o Tj absoluto = 80'C @ 28'C. Por eso nunca utilizas máximos absolutos.