Estoy estudiando amplificadores MOSFET y presenté la siguiente declaración interesante:
La capacidad de drenaje de la puerta del MOSFET en un amplificador CS disminuye la impedancia de entrada del amplificador.
Pasé bastante tiempo para verificar esto, que hasta ahora no había tenido éxito. ¿Alguien por favor me puede dar una idea?
Agregar una capacitancia de drenaje de compuerta se agregará a la capacitancia total vista en la compuerta. Incluyendo el efecto Miller, obtendrías algo parecido a
$$ C_ {in} = C_ {gs} + (1-A) C_ {gd} $$
La impedancia de entrada disminuye debido a ello:
$$ Z_ {in} = \ frac {1} {C_ {in} s} = \ frac {1} {(C_ {gs} + (1-A) C_ {gd}) s} $$
Esto significa que necesitará más corriente para cambiar el voltaje de entrada para todas las frecuencias.
Tenga en cuenta que no reduce la entrada resistencia , que puede considerarse la impedancia en DC (\ $ s \ a 0 ^ + \ $ luego \ $ Z_ { in} \ to + \ infty \ $), que es irrelevante para los transistores MOS ya que la puerta está aislada del canal.