Estoy simulando un interruptor de transistor en PSPICE. El objetivo es encender y apagar una carga (como una lámpara) conectada en el colector. Imagine que en el lugar de la resistencia R2 hay esta carga mencionada.
Entiendo que cuanto más pequeña sea la resistencia R1, más profunda será la saturación que conduzco el transistor, lo cual es preferible. ¿Pero qué tan pequeño puede ser R1? En la simulación estoy observando que Vbe puede ser mucho más grande que 0.7 voltios e Ib también se está haciendo más grande. ¿Es esto peligroso? ¿Hay alguna ecuación de gobierno para Ib y Vbe en la topología esquemática que estoy usando?
