Para este circuito:
simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab
La ganancia de voltaje es:
\ $ \ large \ frac {V_ {OUT}} {r_x} + g_ {m1} * V_ {IN} - g_ {m2} * (- V_ {OUT}) = 0 \ $
Donde \ $ r_x = r_ {o1} || r_ {o2} \ $
$$ \ frac {V_ {OUT}} {V_ {IN}} = - \ frac {g_ {m1} * r_x} {1 + g_ {m2} * r_x} = - g_ {m1} * \ left (r_ {o1} || r_ {o2} || \ frac {1} {g_ {m2}} \ right) $$
Y ahora analicemos este circuito:
simular este circuito
Como puede ver, esta vez usé el circuito equivalente de pequeña señal N-MOS para el P-MOS.
\ $ \ large \ frac {V_ {OUT}} {r_x} + g_ {m1} * V_ {IN} + g_ {m2} * V_ {OUT} = 0 \ $
Y la ganancia de voltaje es exactamente la misma que antes.
\ $ \ frac {V_ {OUT}} {V_ {IN}} = - \ frac {g_ {m1} * r_x} {1 + g_ {m2} * r_x} = - g_ {m1} * \ left (r_ {o1} || r_ {o2} || \ frac {1} {g_ {m2}} \ right) \ $
Entonces, para concluir, puede sonar extraño a primera vista, pero el modelo de pequeña señal del circuito P-MOS es idéntico al N-MOS.
Tenemos la misma situación con los BJT
¿Por qué las direcciones actuales en el modelo híbrido - \ $ \ pi \ $ para BJT son las mismas tanto para NPN como para PNP?
Aplicación del modelo híbrido-pi de un npn-BJT a un pnp BJT en el análisis de pequeña señal