Tengo algunas preguntas con respecto a la caracterización de NMOS / PMOS. Estoy diseñando un amplificador de fuente común utilizando el método gm / Id y como requiere caracterización, lo hice pero utilizando longitudes y anchuras mínimas para NMOS y PMOS (90 nm para todas las longitudes y anchuras). Mi pregunta es, ¿esto está bien? ¿No hay restricciones en cuanto a longitudes o anchos en la caracterización? También, se mencionó una suposición aquí que el ancho de PMOS es tres veces mayor que el NMOS. ¿Es esto aplicable todo el tiempo y debería seguirse siempre? Debido a que mis valores finales de ancho y largo no siguen esta tendencia, pueden alcanzar las especificaciones deseadas.