LTC4366 matando MOSFET

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Diseñé un circuito alrededor de LTC4366 según la imagen de abajo. Sin embargo, numerosos MOSFET se han dañado y se han vuelto inútiles.

Mosfets utilizados: STH12N120K5-2; IXFT50N85XVH; STW13NK100Z: todos tienen una clasificación superior a 800 V y 12 A

La carga funciona con 380VDC y puede manejar 450VDC MAX (el umbral en el circuito se establece en 420VDC). La fuente de alimentación puede entregar 800VDC si falla (y esto es de lo que quiero proteger la carga)

1) Si la tapa de la puerta (Cg) es 3.3nF, el Vout nunca sube. El circuito se comporta como si estuviera en el modo protegido.

2) Si la tapa de la puerta (Cg) es 10pF, el circuito funciona y apaga el MOSFET cuando el voltaje de entrada alcanza aprox. 420V. Sin embargo, si configuro la fuente de alimentación a 550 VCC, el LTC4366 restablece el fallo cada 9 segundos y, después de algunos ciclos, el MOSFET simplemente muere y muestra un corto entre Drain y Source

    
pregunta JG_Bozza

1 respuesta

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Al observar el procedimiento de diseño de este IC, parece que has elegido un Rss que es al menos un factor de 2 demasiado alto. El diseño requiere una corriente de 250 µA a través de Rss, manteniendo el IC sesgado. 250µA a 2MΩ es más alto que el voltaje de suministro.

Este IC también funciona en una modalidad de regulador lineal intermitente cuando se encuentra en una condición de falla, por lo que su FET de paso tomaría la mayor parte de la potencia para reducir el voltaje a un nivel aceptable. Si no tuvo en cuenta esta potencia adicional (por intermitente que sea), sus FET explotarán.

Intentar conducir una capacitancia a tierra de 3.3nF dentro de 1 ms (o incluso la capacitancia 1nF + de sus NFET) requeriría del orden de 200µA, con su resistencia de suministro de 12.5MΩ, esto implica una caída de voltaje de 2500V. La bomba de carga C3 está ahí para reducir este problema, pero esto solo ayuda cuando se tira de la compuerta hacia abajo, no en el arranque.

    
respondido por el Edgar Brown

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