Estoy tratando de producir voltaje negativo con este circuito:
El circuito con PMOS:
cuando los parámetros son:
Vsw=1.1v
vin=1.1v
Cfly=2pF
CL=15pF
Ts=50nS/ f=20MHz
dead time=50pS
No puedo entender por qué la salida es de alrededor de -500mV, en lugar de -Vin. Gracias de antemano.
Ese es un esquema feo.
Pero su principal problema es que tiene las conexiones del cuerpo de M2 y M4 conectadas a tierra. Esto significa que ninguna parte de sus canales (incluidos los terminales de fuente y drenaje) puede ir más de un diodo por debajo del suelo.
La conexión del cuerpo de un MOSFET de canal N debe ir al potencial más negativo de todo el circuito para mantener el diodo implícito (aislamiento del canal) polarizado en todo momento.
Además, tendrá que volver a pensar la unidad de puerta para todos sus dispositivos. Sería más simple de muchas maneras si cambiara M1 y M4 a MOSFET de canal P.
Un problema secundario es que el condensador de la bomba C0 no se va a cargar hasta Vin; su voltaje será en realidad Vsw menos el voltaje de umbral de M1, sea lo que sea. Esta es otra razón para hacer que M1 sea un dispositivo de canal P.