De acuerdo con esta nota de solicitud de Fairchild (por cierto, encuentro las notas de aplicación de Fairchild Para tener un valor inmenso, gracias a todos los que se tomaron el tiempo de escribir uno, el valor de resistencia de carga para un fototransistor en una configuración de emisor común, para obtener un rendimiento similar al de un interruptor, se puede calcular con:
VCE = VCC – ICE • RL
RL = (VCC - VCE)/ICE
Sus condiciones de ejemplo resultan con una resistencia de 68 kΩ seleccionada. Mi pregunta es: ¿es esto un valor mínimo? ¿Qué efecto tendría el aumento de este valor en la operación? Si mis valores dieron como resultado un valor RL de 15kΩ y usé 100kΩ, ¿qué comportamiento podría ser diferente?
Antecedentes: me gustaría usar un GPIO IC que tenga resistencias internas de pull-up de 100k y me pregunto si las pull-ups funcionarán como resistencias de carga. En VCC = 3.3V, VCE = 0.4V, e ICE probablemente en algún lugar alrededor de 500µA (LTR-301), mi resistencia de carga (según la fórmula de Fairchild) debe ser ~ 15k 15.
