He adjuntado los siguientes circuitos que he estado desarrollando horas extras.
El OBJETIVO es obtener la mayor corriente posible en la puerta del MOSFET (VF1) para lograr tiempos de pulso más rápidos del LED.
Mis preguntas son:
-si hay alguna forma de obtener corrientes más altas en la puerta MOSFET más cercana al LED
-Estoy teniendo problemas para obtener una mayor caída de voltaje en el LED (VF2), al ajustar el voltaje de suministro VS1 no ha contribuido a aumentar el voltaje en el LED
: el primer circuito usa dos mosfets y el segundo usa una configuración de tótem NPN / PNP BJT para obtener mayor corriente en la puerta del MOSFET de potencia. ¿Cuál de las dos configuraciones debo seguir si mi objetivo es conseguir un cambio más rápido en el MOSFET cerca del LED?
Se adjunta el archivo del circuito, así como los gráficos transitorios. Cualquier ayuda / consejo es bienvenido.