Relación entre voltaje y frecuencia en DVS

DVS es escalado de voltaje dinámico. El aumento de la tensión permite que las capacidades internas de los cables y transistores se carguen por encima de los voltajes de umbral del transistor más rápidamente, lo que permite que el dispositivo funcione a una frecuencia más alta. Sin embargo, el consumo dinámico de energía en CMOS es proporcional a la frecuencia cuadrada del voltaje, por lo que se obtiene un aumento en el consumo de energía.

En DDR2 / 3/4, el bus es un animal diferente a los componentes en el chip. El bus de datos está sujeto a diferentes limitaciones fuera del chip porque es físicamente mucho más grande. La especificación está diseñada para usar voltajes más bajos para un menor consumo de energía, así como transiciones más rápidas. Esto se realiza en el momento del diseño y se cambian las tensiones de alimentación y de umbral. En DVS, la tensión de umbral NO se cambia, ya que no se puede cambiar sin cambiar el circuito, el dopaje del transistor, la polarización del cuerpo del transistor, etc. Dado que los trazados de PCB entre los chips de RAM y la CPU actúan como líneas de transmisión en lugar de líneas limitadas RC , las características de rendimiento son completamente diferentes. La constante de tiempo RC no se aplica a estas trazas, por lo que aumentar la tensión de alimentación no tiene el mismo efecto. En cambio, la velocidad de giro del controlador de salida y la corriente de suministro son más importantes. Con un swing más pequeño, la línea se puede conducir más rápido y con menos potencia. En el lado de recepción, los amplificadores deben recibir los datos correctamente.

Una matriz de memoria RAM DDR2 / 3/4 ciertamente puede ser overclockeada con DVS como cualquier otro chip, siempre que se proporcione suficiente enfriamiento para lidiar con la disipación de energía adicional. Sin embargo, el circuito de interfaz puede o no funcionar correctamente a una frecuencia más alta, incluso si se aumenta la tensión de alimentación.

TL; DR: en DVS, el voltaje se cambia en un chip CMOS fijo. En DDR2 / 3/4, el bus está diseñado para funcionar a un voltaje más bajo y no está limitado por RC como los componentes en el chip. Realmente no se pueden comparar directamente.

¿Qué es DVS, tipo de overclocking? Los elementos construidos para una operación de voltaje más bajo son más rápidos, porque el tiempo de transición del nivel de estado bajo a alto es más corto en comparación con el mismo elemento con un voltaje nominal más alto. Pero si aplica un voltaje más alto que el nominal, este tiempo de transición es aún más corto, porque el nivel de umbral 0,1 sigue siendo el mismo, pero la pendiente es más pronunciada debido a un mayor voltaje de suministro. Bueno, este hecho es conocido y utilizado por los jugadores, mientras que es inútil para el funcionamiento normal.

Por lo que sé, cuando se habla de DVS, se realiza Overvolting para lograr el Overclocking.
En primer lugar, no siempre es necesario en todas partes que el Overvolting resulta en Overclocking.
En segundo lugar, no confunda el caso de las memorias DDR2 con solo el método de overclocking. Los DDR2 son memorias de doble bombeo, no son más rápidos solo por Overclocking, principalmente porque son más rápidos porque transfieren datos en los bordes ascendente y descendente de la señal del reloj del bus.