\ $ V_ {BE} \ $ aumentando de saturación a modo activo de BJT con \ $ I_ {B} \ $ constante

La unión base-colector está en paralelo con la unión base-emisor y está polarizada hacia adelante cuando el colector está en menos de Vbe.

Resulta que la caída de voltaje de la unión base-colector es típicamente algo menor que la de la unión base-emisor para la misma corriente, por lo que tener el voltaje del colector a 0 V significa que parte de la corriente de base fluye del colector a tierra, por lo que Vbe es menor que con el colector abierto. Esto es una consecuencia de la asimetría en la construcción de la mayoría de los transistores modernos.

Por encima de unos 100 mV, debería haber pocos cambios en Vbe, independientemente de Vce (antes de la avería).

Si ejecuta la siguiente simulación, encontrará que más del 95% de la corriente base fluye hacia afuera a través del colector, reduciendo el Vbe en aproximadamente 5-10 mV.

^{simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab}

Si su banco de pruebas está configurado como el esquema adjunto, entonces IB no es ni se mantiene constante.

Cuando el transistor está en saturación, hay una corriente de base sustancial, por lo que obtiene una caída sobre RB. A medida que pasa a la región activa, IB cae a IC dividido por beta, la caída sobre RB disminuye, y VBE aumenta como resultado.