Amplificador de transresistencia y medición de corriente

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Estaba estudiando algunos amplificadores de voltaje de derivación y salí con este circuito. R2 es solo para compensación de compensación de voltaje de entrada, y tiene el mismo valor que R1.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Ahora, sé que a partir de varias hojas de datos de componentes que integran esta topología, la ganancia final es:

G = R4 / R1

Suponiendo que a partir del análisis clásico del amplificador de transistor degenerado de fuente a R1 > > 1 / gm , donde gm es la pequeña señal de transconductancia de PMOS M1.

Ahora, me gustaría construir con componentes discretos este circuito (solo para aprendizaje / diversión), pero terminé con una condición de bloqueo, al menos en papel. ¿Cómo polarizo el MOSFET para tener gm > > 1 / R1 ? Sé que se cuida del amplificador operacional, pero digamos que uso un BSS84P y tengo este gráfico de la hoja de datos:

¿Cómo uso esta trama?

EDITAR: Creo que mientras la resistencia de origen sea lo suficientemente grande, la variación de la gm con la corriente introducirá pequeñas no linealidades.

    
pregunta thexeno

1 respuesta

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La corriente medida en este circuito (que fluye de arriba hacia abajo a través de R3) incluye cierta corriente adicional a través de R1 para el circuito de medición.

La gm es una característica de señal pequeña: te dice cuánto debe cambiar el voltaje de la fuente de la compuerta para inducir un cambio dado en la corriente de drenaje. En este caso, se está viendo una operación de gran señal. En cambio, observe las características típicas de la gran señal:

La salida del amplificador operacional debe (típicamente) ir al voltaje de entrada menos 1.75V o más para apagar completamente el MOSFET y para ingresar el voltaje menos unos pocos voltios para encenderlo a cualquier corriente razonable para este circuito. Si está haciendo un diseño real, debe determinar los límites y no solo usar las curvas típicas, por supuesto. Incluso si el amplificador operacional cambia casi al riel negativo, puede requerirse un MOSFET diferente si la tensión de entrada es demasiado baja.

Entonces, para que esto funcione, el amplificador operacional debe poder girar cerca del riel positivo, lo que significa que algunos tipos de salida no RR pueden ser marginales o no funcionar con corrientes de carga baja, siempre o bajo Algunas condiciones como baja temperatura. ¿Qué otros requisitos hay? Debe haber suficiente voltaje para encender el MOSFET suficientemente. Por lo general, la caída de voltaje en R1 / R3 es pequeña, pero si el voltaje de entrada es bajo, debe preocuparse de que la salida del amplificador operacional oscile lo suficientemente bajo como para encender el MOSFET lo suficiente. Si está siendo alimentado por el voltaje de entrada y tierra, y solo puede oscilar hasta 1,5 V del riel negativo, podría tener un problema si el voltaje de entrada es inferior a aproximadamente 5 V (nuevamente, los límites garantizados son importantes).

La limitación final es que el MOSFET no debe saturarse, por lo que la caída de voltaje en R4 no puede ser tan grande que el voltaje requerido en el MOSFET sea demasiado bajo. Eso establece un valor máximo para el voltaje de salida en función de: el voltaje de entrada mínimo menos la caída en R1 / R3.

La pendiente de la curva Vgs / Id es la transconductancia. Dado que está dentro del bucle de retroalimentación del amplificador operacional, tiene muy poco efecto en las características siempre que la ganancia de voltaje del amplificador operacional sea alta. Por lo general, cualquier efecto se verá afectado por otros errores, como la tolerancia de resistencia (span) y el voltaje de compensación de entrada del amplificador operacional (cero).

    
respondido por el Spehro Pefhany

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