¿Son los electrones y los agujeros responsables de la conductividad en un semiconductor extrínseco (tanto de tipo n como de tipo p)? [cerrado]

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En un semiconductor, la velocidad de deriva Vd y E (intensidad del campo eléctrico) son directamente proporcionales entre sí ... con la proporcionalidad constante como movilidad de portadores de carga ... en la fórmula que estudié en el libro de texto, sustituyeron esta movilidad como la suma de los productos de la concentración de los agujeros con su movilidad y los electrones con su movilidad ... así que la duda ...

    
pregunta Shashwat Sinha

1 respuesta

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Sí, la conductividad eléctrica es una función de las concentraciones de electrones y de orificios, en todos los semiconductores, intrínsecos o extrínsecos.

$$ \ sigma = \ mu_nn + \ mu_pp $$

Sin embargo, dado que las concentraciones de electrones y orificios tienen una relación inversa, a menos que su semiconductor esté ligeramente dopado o sea intrínseco, la gran mayoría de la conductividad será de electrones u orificios, cualquiera que sea la concentración más alta, la mayoría de los portadores. / p>     

respondido por el Matt

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