¿Puede un JFET reemplazar un IGFET? (A 3N139 IGFET)

Puede probar un JFET pero la corriente de fuga de la puerta puede ser demasiado alta. La unión entre la puerta y el canal es una unión PN, por lo que habrá una pequeña pero significativa corriente de fuga. Un MOSFET, por otro lado, tendrá una corriente de compuerta extremadamente baja. Puede probar un FET de doble puerta destinado a aplicaciones de RF, con la puerta no utilizada atada a la otra puerta o la fuente. Estos son dispositivos de agotamiento también. Algo como el BF994S, que es montaje superficial. No estoy seguro de qué partes pasantes del agujero están alrededor de estos días. Sí, creo que el transistor está ahí para limitar el voltaje de la compuerta y también para proporcionar un sesgo débil.

En general, no puede usar un JFET para reemplazar un MOSFET.

La excepción es el modo de agotamiento MOSFETS y solo si el JFET es compatible con los voltajes de compuerta utilizados, podría funcionar, si la puerta se desplaza hacia delante, la corriente fluirá hacia la puerta. Dependiendo de la aplicación, podría ser posible protegerse suficientemente contra eso usando una resistencia de compuerta