MOSFET: ¿Qué se considera "alto voltaje" cuando se encuentra un voltaje temprano mediante un método experimental?

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Descubrí que para obtener voltaje temprano, puede tomar la tangente de un gráfico característico MOSFET I vs V en "voltajes grandes" y dondequiera que las líneas intercepten el eje x negativo es el voltaje inicial (consulte el gráfico de wikipedia a continuación)

Estoytratandodehacerestoconmigráfico,perotengoproblemasparadeterminarquéconstituye"voltajes grandes". Al principio, solo agregué una línea de tendencia para toda la curva y me di cuenta de que no funcionaba. ¿A qué voltaje necesito comenzar a extrapolar los datos de mi curva para obtener un voltaje temprano?

    
pregunta Austin Brown

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No soy un especialista en física de estado sólido, pero recuerde que el "efecto inicial" se identificó por primera vez para BJT, como una buena aproximación de las características de I-V para diferentes corrientes de base. En MOSFET hay cierta semejanza (pero en comparación con Vgs), por lo que las formas de las curvas MOSFET I-V también se caracterizan a veces por "Voltaje inicial". Sin embargo, esto sigue siendo una aproximación, y no funciona bien para MOSFETS.

La identificación de la sección "I-V lineal" es algo subjetiva, y los voltajes negativos ("Tempranos") derivados de la extrapolación de curvas I-V pueden no ser idénticos para diferentes curvas Vgs, por eso tiene dificultades.

En otras palabras, la impedancia dinámica (RdsON) para MOSFET no solo depende de Vgs, sino también de Vds, es por eso que RdsON está tan difuso en las hojas de datos de MOSFET.

    
respondido por el Ale..chenski

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