Diodos de energía de germanio

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¿Por qué no hacen los diodos de potencia de germanio para su caída de voltaje más baja? He utilizado un transistor de alimentación de germanio de caja de chatarra conectado a diodo para un trabajo de medición interno de baja tensión en casa, ya que realizó un schottky de silicio BYV1040. ¿Podrían hacer un diodo schottky germanio? ¿Su caída de voltaje sería aproximadamente la mitad de un Schottky Si? ¿Podría un dispositivo propuesto de este tipo ser útil en la recolección de energía a pesar de tener un PIV bajo y una alta corriente de fuga inversa?

    
pregunta Autistic

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Un par de razones El silicio es mucho más abundante que el germanio, mucho menos costoso.
El silicio es mucho más fácil de procesar. El silicio tiene un índice de voltaje inverso pico mucho más alto (descomposición).
El silicio es mucho más tolerante a las altas temperaturas que el germanio ... Especialmente importante en un diodo de potencia. Un diodo de germanio se destruye fácilmente con temperaturas moderadamente altas, típicamente menos de la mitad de lo que puede manejar el silicio. Las uniones de silicio tienen una fuga mucho menor que el germanio.

En comparación con los diodos schottky, los diodos de germanio tienen una rodilla mucho más suave cuando comienzan a conducir. El diodo shottky cambia casi instantáneamente de bloqueo a conducción, pero el de germanio seguirá una curva. Los Schottky de silicio también tienen menos fugas y mayores capacidades de corriente (como en el caso anterior) que el germanio, y comparten la misma base de elementos y la facilidad de fabricación.

    
respondido por el R Drast

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