Por la curva característica de un BJT, parece que se comporta como una resistencia en la región de saturación.
¿Es esta conclusión verdadera? y si es así, ¿cómo puedo calcular esta resistencia (vista desde el colector) a partir de los valores de la hoja de datos?
De hecho, es cierto, un BJT se comporta de alguna manera como una resistencia cuando está en la región de saturación.
Pero no es una resistencia muy "bien educada", es una muy no lineal . Puede explicar esto considerando lo que sucedería si aplicara un voltaje creciente a través de esta resistencia. Entonces estarías aumentando \ $ Vds \ $ ¿verdad? Por encima de cierto voltaje \ $ Vdssat \ $, el transistor dejará la región de saturación y comenzará a comportarse como una fuente de corriente. Por supuesto, no hay un cambio brusco de la saturación y el comportamiento del modo actual, es un cambio gradual.
El "valor" de la "resistencia de saturación" de un transistor es, por lo tanto, muy dependiente de \ $ Vbe \ $ y \ $ Vds \ $ y también las propiedades propias del transistor como \ $ Hfe \ $ (beta).
En la práctica, no puede confiar mucho en que esta "resistencia de saturación" tenga un cierto valor. Si solo desea utilizar el transistor para encender y apagar algo, el valor real no importa tanto como sea lo suficientemente bajo. Y también es así como se usa el modo de saturación en general, un modo que usa cuando usa un BJT para encender / apagar algo o cortocircuitar una señal a tierra, por ejemplo.
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