¿Qué valor de resistencia se usa para calcular la transductancia MOSFET en la fórmula a continuación? $$ A_v = \ dfrac {v_o} {v_i} = -g_m R $$
Este es el circuito en cuestión.
Estoy confundido sobre qué resistencia usar (R1, R2, RD). Un poco de ayuda sería apreciada. Gracias.
Esto no es calcular la transconductancia, es calcular la ganancia de voltaje del circuito.
gm es la transconductancia del FET y es el cambio en la corriente a través del dispositivo causado por un cambio en la unidad de voltaje de entrada.
El voltaje de salida es el gm multiplicado por la resistencia de salida efectiva.
La resistencia de salida efectiva consiste en la resistencia Rd en paralelo con la resistencia interna del FET (esto se omite en su cálculo). Esto normalmente se conoce como Ro.
Es importante que el FET se opere en su región lineal porque la transconductancia es un parámetro de pequeña señal. Eso significa: Seleccione una ID de corriente adecuada (determinada por el divisor de voltaje de la puerta) y una resistencia RD que permita algunos voltios para VDS a través del FET (aplicación. 0.5 VDD).
Más que eso, no es posible proporcionarle valores exactos para estas resistencias (y la ID actual) porque la transcobductancia no es un parámetro fijo sino que depende, hasta cierto punto, de la ID actual así como de la ID. voltaje VDS.
Eso significa que puede (debería) intentar realizar estas mediciones (medir la ganancia y recalcular GM) para más de un punto operacional (ID, VDS).
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