He visto varias hojas de datos para transistores de unión bipolar que proporcionan el valor del voltaje del Emisor Base en saturación con valores muy por encima de 0.6 ~ 0.7V ( Ejemplo ). ¿Qué implica exactamente esto? Tenía la idea de que la caída de voltaje de la base al emisor era similar a un diodo polarizado hacia adelante, ~ 0.7V, independientemente del voltaje del emisor de base.
Tensión del emisor-base del transistor de empalme bipolar
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pregunta joaocandre
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Este es un número máximo garantizado, con una base relativamente alta y una corriente de colector (aunque solo a 25 ° C). No hay un típico dado.
Compareestascurvastípicasparael
En el nivel Ic = 500mA, Ib = 50mA, el \ $ V_ {BE} \ $ es generalmente más de 1 voltio.
El fabricante elige garantizar que será inferior a 2V (en comparación con el '4401 donde la garantía es de 1.2V). Eso es todo lo que puede decir al respecto. Es probable que sea más cercano a 1V que a 2V, y ciertamente mucho menos que 2V (y en realidad muy por debajo de 1V) a corrientes más razonables como la corriente de base de 10 mA / corriente de 100 mA.
No es raro que los fabricantes tengan garantías sueltas. Las corrientes de fuga a menudo se garantizan a niveles de 1uA cuando la fuga típica real puede ser más como 1nA o 100fA. Eso acelera las pruebas. En el caso del Vbe, puede reducir las fallas falsas debidas a malas conexiones en sus plantillas de prueba o lo que sea.
respondido por el Spehro Pefhany
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La idea de que "un diodo SI de conducción directa cae 0.7V" es una estimación muy aproximada, que funciona bastante bien para corrientes BAJAS (en comparación con el máximo del diodo). Mire este gráfico desde una hoja de datos 1N4148 (el diodo arquetípico de señal pequeña). A corrientes más altas, el voltaje se acerca a 2V. Su unión BE se está comportando como una buena aproximación de un diodo, es su suposición del comportamiento de un diodo que necesita un cierto ajuste.
respondido por el
Wouter van Ooijen
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