Estoy tratando de entender cómo funciona la memoria NAND-Flash y creo que entiendo cómo funciona la programación de una página, pero no veo por qué invertir toda la tensión no conduciría a borrar la página. Entonces, ¿por qué es necesario borrar todo el bloque (en lugar de un borrado de página de grano fino)?
¿Qué dice es más similar a las antiguas EEPROM y NOR Flash, en las que el proceso de borrado consiste básicamente en la inyección de la misma cantidad de carga opuesta? El problema es que el proceso debe ser realmente preciso, de lo contrario, el riesgo es no descargar completamente la compuerta o cargarla con un valor opuesto.
Las memorias Flash NAND utilizan el principio de liberación del túnel, que (si recuerdo bien) básicamente consiste en hacer que la carga fluya desde la puerta flotante hacia una de las regiones activas, evitando el riesgo de inyectar otras cargas.
Probablemente no esté tan claro, pero el principio porque no se descarga con un voltaje opuesto se debe a que la ventaja de NAND Flash es que descarga la puerta flotante como lo haría con un condensador, simplemente dejando que la carga fluya ; mientras que las otras tecnologías requieren la inyección de una carga opuesta.
(Tome esta respuesta con guantes, no es del todo precisa, pero según lo que recuerdo del curso ... cuando vuelva a obtener el material, le daré una respuesta más precisa)
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