Estoy usando un PIC para controlar la puerta de un MOSFET de nivel lógico. Aunque la salida lógica de 5 V de la imagen es suficiente para superar la tensión de umbral, me gustaría conducir la compuerta con 12 V para reducir la resistencia de la fuente de drenaje.
Para lograr esto, he trazado el siguiente circuito utilizando dos MOSFET en serie (como se destaca). ¿Funcionará este diseño y es el mejor enfoque (teniendo en cuenta que quiero minimizar el número de componentes)? 
Esto no controla el MOSFET de salida con un voltaje de compuerta más alto; solo verá aproximadamente 2 V cuando el primer MOSFET actúe como seguidor de la fuente; el umbral reducirá los 5V de la MCU.
Para conducir la etapa de salida con un voltaje más alto se requerirán un par de etapas. Algo así como el siguiente esquema. Tenga cuidado al exceder el VGS de la etapa de salida.
No dice si está utilizando la modulación PWM, si lo está, deberá garantizar una carga y descarga rápidas de la capacitancia de la compuerta MOSFET; es posible que este circuito no sea el adecuado.
La pregunta real aquí es cuánta corriente necesitará pasar por el motor.
Si observa la hoja de datos del mosfet IRF1405, debería ver dos gráficos muy importantes:
El gráfico de la izquierda muestra que el mosfet puede extraer hasta 60A de corriente cuando el voltaje de la compuerta es de 5v. Entonces, si su motor tira menos de 60A, estaría bien con un solo mosfet. Si necesita más de 60A, puede usar 2 mosfets y obtener la calificación de 169A.
El gráfico de la derecha muestra cómo la resistencia Drain-Source On se relaciona con la temperatura. Esto es importante porque si puede predecir la temperatura, puede predecir la caída de voltaje en todo el mosfet.
En resumen: Sí, el circuito propuesto funcionará, pero el trabajo se puede hacer con un solo mosfet si está por debajo de 60A. (O puede buscar otras mosfets que tengan diferentes voltajes de compuerta, drene a la corriente de la fuente).
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