Suponiendo que un transistor NMOS está en saturación. ¿Puede aplicar un \ $ I_ {DS} \ $ actual, dando como resultado un voltaje de fuente de compuerta de salida (\ $ V_ {GS} \ $)?
Suponiendo que un transistor NMOS está en saturación. ¿Puede aplicar un \ $ I_ {DS} \ $ actual, dando como resultado un voltaje de fuente de compuerta de salida (\ $ V_ {GS} \ $)?
La puerta está aislada, por lo que no puede generar voltaje. Un NMOS solo tiene una relación causal de Vgs a Ids, no a la inversa.
Sin embargo, puede conectar la compuerta al drenaje (diodo NMOS) e inyectar una corriente de drenaje. Entonces el NMOS será una insaturación (¿por qué?) Y los Vgs serán el valor correspondiente al ID que inyectaste
Este principio se utiliza en los espejos actuales.
Si el transistor está en saturación, ya hay ID actuales que no son cero. Habrá algún voltaje particular en la puerta. Supongamos que está abierto y estamos midiendo el voltaje con un voltímetro muy bueno que no extrae una corriente significativa de la compuerta.
La compuerta aparece como un par de condensadores en serie: uno a la fuente y otro al drenaje. Si cambia los Ids actuales, entonces el voltaje Vds cambiará y aparecerá algo (generalmente una pequeña cantidad) de ese cambio de voltaje en la puerta. El cambio de voltaje de la compuerta reducirá el cambio de Vds en comparación con lo que vería si mantuviera la compuerta a un voltaje constante con una fuente de voltaje.
En la práctica, las capacitancias son bastante pequeñas (nF o pF), por lo que las fugas cambiarán el voltaje muy rápidamente, no es una fuente de voltaje útil en estado estable.
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