Mientras medía una resistividad MOSFET sin un voltaje de compuerta, observé que la resistividad obtenida para un voltaje de compuerta a 0 V es 20 veces más alta que la resistividad observada cuando no hay compuerta (con una medición clásica de 4 sondas en un material) . ¿Alguien tiene una explicación para este fenómeno? Muchas gracias