H-bridge porblem

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Este es mi primer experimento con MOSFET. He construido este diseño pero el MOSFET de n canales se está calentando. ¿Hay errores que he cometido?

No tengo problemas con el canal p que mide -12V VGS y 200mv VDS, pero con el canal n he medido VGS alrededor de 11V y VDS alrededor de 4V. 200mV, entonces de donde vienen estos 4V? Quiero usar este circuito con PWM.

Gracias por cualquier respuesta.

    
pregunta M.Mosab

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