Reemplazo para un MOSFET de agotamiento de canal P

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He leído algunas de las preguntas sobre MOSFETS de agotamiento del canal P y entiendo que su disponibilidad es muy limitada y, a menudo, costosa. Entonces, lo que espero descubrir con aquellos que ven y responden a mi pregunta, es un reemplazo apropiado para un MOSFET de agotamiento de canal P para el diseño de mi circuito.

Un poco de fondo: P-Channel DMOSFET fue perfecto para mí porque necesito tener dos cables cortocircuitados la mayoría del tiempo. Un DMOSFET de canal P conectará estos dos nodos con un voltaje mínimo entre el drenaje y la fuente cuando la puerta esté conectada a tierra; que es exactamente lo que quiero porque los dos cables que estoy conectando en realidad están cortocircuitando un cable a TIERRA en ausencia de una señal externa. Una vez que esta señal externa está conectada, también la dirijo de manera adecuada a la puerta del DMOSFET para que abra el interruptor, y ya no ponga a tierra el drenaje.

EDIT1: Esta es una descripción básica de la parte del circuito en cuestión (omitiendo resistencias y condensadores básicos):

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

M2 es un diodo de baja tensión directa, por lo que VCC de la batería no abre el interruptor M1. M1 conecta la 'Señal' a tierra, hasta que se conecta un cargador, en cuyo caso la Señal se desconecta de la parte del circuito que he ilustrado. El dispositivo en V_out está consumiendo menos de 1 mA, lo que es altamente beneficioso para la vida útil de la batería.
/ EDIT1

Una alternativa obvia a este diseño es utilizar un MOSFET de mejora de canal N y un inversor a la puerta, pero estoy tratando de hacer que este diseño sea lo mínimo posible (físicamente) para poder incluirlo en un diseño impreso en 3D. Lo más pequeño posible para propósitos portátiles. El diseño sin un inversor también es preferible porque la mayoría de las veces la energía de la batería sería menor, sin el consumo constante de corriente y consumo de energía que se produciría en el inversor.

La velocidad de conmutación no necesita ser rápida, y no hay una corriente significativa conectada al MOSFET (miliamperios en mi diseño)

¿Hay alguna otra idea?

Gracias :)

Edit1: incluye un esquema básico y una breve explicación.

    
pregunta Jakkatak

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