Tengo una pregunta, ¿cómo puedo hacer que el fotodiodo Metal-Semicondutor-Metal sea más selectivo en términos de espectro de longitud de onda? Debo mencionar que no puedo usar los reflectores de Bragg como en los fotodetectores RCE. Todo lo que puedo usar es pozos cuánticos y p, n capas de dopaje. Para ser más precisos, necesito reducir el espectro de absorción por debajo de 1300 nm, digamos a 1250-1350 nm. En general, el rango superior (1350 nm) solo está limitado por el intervalo de banda del material activo, por lo que no es un problema para mí
