Estaba trabajando con una interfaz con un MOSFET y me encontré con un caso donde una alta impedancia podría ser una entrada a la puerta del MOSFET, esencialmente dejando la puerta abierta. ¿El MOSFET exhibiría el mismo eléctrico y amp; comportamiento físico como si la puerta estuviera conectada a GND?
Ni siquiera cerca. Todo lo contrario, de hecho.
Una compuerta de canal N flotante de alta impedancia puede recargarse desde una variedad de fuentes (a través de la capacitancia parásita de la compuerta al drenaje, a través de la manipulación, tocar la compuerta con su finfer, etc.) y Se enciende espontáneamente . Cualquier compuerta que pueda tener un control de alta impedancia (por ejemplo, una E / S digital de un micro) realmente necesita una resistencia de compuerta a la fuente para eliminar estas cargas espurias y mantener el estado del dispositivo definido (= apagado) cuando la el control es alto-Z.
No, no se comportará igual. Depende del entorno local y de las corrientes de fuga locales, campos eléctricos dispersos, etc. En resumen, no es muy predecible en qué estado estará la puerta y, posteriormente, en qué estado estará el canal debajo. Los MOSFET más grandes que tengan capacidades de compuerta más grandes responderán más lentamente.
Coloque una resistencia de elevación / subida de alto valor para lidiar con este estado "Z" alto.
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